增强型GaN
关于增强型GaN的信息展示：
2018年的GAN(生成对抗网络)论文续篇 - 阿飞 - 简书
2019年2月24日-ESRGAN:增强型超分辨率生成对抗网络:2017 年的超分辨率GAN(SRGAN)是将低分辨率图像映射到高分辨率图像的网络之一。这项工作通过几个有趣的技巧改...
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基于增强型GaN器件半桥电路的自激振荡问题分析及抑制_西安交通大学
2018年10月5日-目前主要从事GaN器件建模及其应用、高频DC-DC变换技术的研究。 如需转载请联系微信NEdianqi返回搜狐,查看更多 责任编辑:声明:该文观点仅代表作者本人,...
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高压增强型GaN HFET机理与新结构研究_CNKI学问
高压增强型GaN HFET机理与新结构研究-AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)因其优异的材料特性、良好的器件性能,被认为是未来替代硅基功率器件的热门选择...
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基于选区外延p型栅的增强型GaN基HEMT研究|基金|科学网—构建全球...
基于选区外延p型栅的增强型GaN基HEMT研究批准号 61674143学科分类 半导体功率器件与集成 ( F040403 ) 负责人 张连职称 单位名称 中国科学院半导体研究所 资助...
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增强型GaN Trench-Gate MIS-HFET阈值电压调控技术--《电子科技...
2018年8月4日-本文通过仿真及实验的方法,对增强型GaN Trench-Gate MIS-HFET阈值电压调控技术进行研究。本文首先介绍了GaN HFET的基本工作原理,分析对比了各增强型实...
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EPC增强型GaN-on-Silicon功率晶体管:EPC2045-电子发烧友网
2017年10月18日-本报告对EPC增强型GaN-on-Silicon功率晶体管EPC2045进行详细的逆向分析,还包括外延及封装成本的预估。 EPC2045部分工艺流程,本报告还将EPC2045与EPC之前的产品,...
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GaN取代硅?氮化镓在2019年的应用及局限-谢丫丫-电子技术应用-AET-...
2019年1月24日-不能以与当前硅晶体管相同的规模生产GaN晶体管也意味着它们在CPU和其他微控制器中使用是不实际的。 GaN晶体管的第二个问题是,用于制造增强型GaN晶体管...
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用于增强型GaN半导体器件的复合高K金属栅极堆叠体
描述了具有复合高k金属栅极堆叠体的增强型氮化镓(GaN)半导体器件及其制造方法。在示例中,一种半导体器件包括设置在衬底上方的氮化镓(GaN)沟道区。栅极堆叠体设置在所...
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增强型GaNHEMT的制备方法与流程
2017年11月22日-本发明属于半导体技术领域,特别是指一种增强型高电子迁移率晶体管的制备方法,以及包含该晶体管的半导体器件。 背景技术: 近些年来GaN基电力电子器件吸...
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苏州纳米所在增强型GaN HEMT器件研究方面取得新进展_苏州纳米所
2018年5月14日-由于极化作用,AlGaN/GaN异质结界面会形成高浓度的二维电子气,浓度可达到1013/cm2量级,因此一般的GaN HEMT都是耗尽型器件。如何实现增强型GaN HEMT一直...
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英飞凌GaN解决方案CoolGaN 600 V增强型HEMT投入量产-新品-电子...
2018年11月16日-英飞凌展示了其产品的优越性:它们具备更高功率密度,可实现更加小巧、轻便的设计,从而降低系统总成本和运行成本,以及减少资本支出。随着CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN...
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增强型AlGaN_GaN槽栅HEMT研制与特性分析(精)_百度文库
2018年9月27日-增强型AlGaN_GaN槽栅HEMT研制与特性分析(精) - 中国科学 E 辑 : 技术科学 2009 年第 39 卷第 1 期 : 119 ~ 123 t...
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《增强型GaN FETs》.doc_文档投稿赚钱网
2018年11月28日-《增强型GaN FETs》.doc,增强型GaNFETsGaNFETs工作原理:由于AlGaN/GaN异质结生长完成后,异质结界面存在大量二维电子气(2DEG),与Si基器件不同的是,电...
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微电子所在氮化镓增强型MIS-HEMT研究方面取得重要进展 - 中国科学...
2015年7月27日-近日,微电子所氮化镓(GaN)功率电子器件研究团队与香港科技大学陈敬教授团队、西安电子科技大学郝跃院士团队合作,在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得重要进展,成功研制...
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增强型GaN Trench-Gate MIS-HFET阈值电压调控技术--硕士论文下载
2.1 AlGaN/GaN异质结极化效应与2DEG形成机理 第16-19页 2.2 AlGaN/GaNHEFT工作原理 第19-22页 2.2.1 常规HFET工作原理 第19-20页 2.2.2 增强型AlGaN...
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增强型GaN功率器件及集成技术--《电力电子技术》2017年08期
2017年8月1日-GaN栅结构,分别研制了阈值电压2 V以上、击穿电压1 200 V以上的凹槽栅结构和阈值电压1.1 V、击穿电压350 V以上、输出电流10 A以上的p-GaN栅结构增强型G...
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增强型gan hemt耐压技术与新结构研究 - 道客巴巴
2017年2月11日-因此,本文的重点是提出增强型氟离子埋层GaN HEMT以改善常规增强型HEMT的耐压以及其工艺模拟仿真和研究自偏置场板 AlGaN/GaN HEMT 仿真分析其机理和性...
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增强型GaN功率器件及集成技术_论文_百度文库
评分:5/53页2018年5月13日-增强型GaN功率器件及集成技术 - 第5 1卷第 8期 201 7年 8月 电力电 子技 术 Power Electronics Vo1...
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采用Cascode结构 FET(GaN)高效率开关
2018年3月3日-另外,还可以调整GaN HEMT设计以便将闸临界电压由负转正,进而实现常关的增强型元件。增强型GaN HEMT可在低、中压范围(高达200V)使用,很快可以达到更高电压(600...
产品报价|技术支持p-GaN基增强型HEMT器件的制作方法
2018年9月8日-本发明涉及半导体领域,特别是涉及p-GaN基增强型HEMT器件。 背景技术: 随着高压开关和高速射频电路的发展,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)成为该领...
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一种增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法
一种增强型A1GaN/GaNHEMT器件的实现方法张进城郑鹏天郝跃董作典王冲张金风吕玲秦雪雪...
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[学位论文].600V增强型GaN HEMT器件研究及设计_[东南大学] - 豆丁网
2017年5月25日-硕博学位论文[毕业论文社区] 1/71 工程硕士学位论文600v增强型GaNHEMT器件研究及设计 2016年5月14日 万方数据 [毕业论文社区] 2/71 RESEARCHANDDESIGN...
一种增强型GaNHEMT外延材料结构的制作方法
2018年8月5日-本实用新型涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种增强型GaN HEMT外延材料结构。 背景技术: 相对于传统Si CMOS技术,GaN 超高速数字逻辑器件具有更高的开...
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GaN功率半导体厂商梳理
2018年12月24日-EPC是推出增强型氮化镓(eGaNTM)FET的,可实现对传统功率MOSFET的有效替代;EPC也是增强型GaN功率晶体管的供应商。 2015年5月,美国Intersil l...
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Imec开发出世界上8英寸无色散常闭式/增强型硅基GaN功率器件
2017年6月15日-Imec开发出世界上8英寸无色散常闭式/增强型硅基GaN功率器件2017-06-15[据固态技术网站2017年6月13日报道] 比利时微电子研究中心(Imec)在200毫米...
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一种增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 - 汇
2017年8月25日-本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新结构是在晶体管2DEG所在的高阻GaN层的源端到栅电极部分使用P型掺杂的GaN,于是在栅压为零...
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增强型GaN高电子迁移率晶体管的研究.pdf_文档投稿赚钱网
2017年5月5日-增强型GaN高电子迁移率晶体管的研究.pdf,摘要摘要基于GaN材料大禁带宽度,高热导率和高饱和迁移率速度等优点构成的AlGaN/GaNHEMT器件证实在微波大功率...
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英飞凌GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT):CoolGaN - 开源链
CoolGaN是英飞凌GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)系列产品。最近该推出了两款进入量产的产品——CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN开关管专用驱动...
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...所在增强型GaN HEMT..._中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
2017年2月15日-由于极化作用,AlGaN/GaN异质结界面会形成高浓度的二维电子气,浓度可达到1013/cm2量级,因此一般的GaN HEMT都是耗尽型器件。如何实现增强型GaN HEMT一直...
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