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Clean Edge 预计，全球太阳能发电市场的规模将从2005年的110亿美元猛进增到2015年的510亿美元。

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显然太阳能产业的迅猛发展需要更多的硅原料及切割设备来支撑。 除太阳能电池外，硅片的巨大需求同样表现在集成电路等半导体产业上。 硅占整个半导体材料的95%以上，单晶硅片是半导体器件生产的关键性基材，是当之无愧的电子产业的基础支撑材料。

2010年，电子级多晶硅年需求量达到约2000吨，光伏级多晶硅年需求量将达到约4200吨。 硅原料的供不应求，切割加工能力的落后和严重不足构成了产业链的瓶颈，严重阻碍了我国太阳能和半导体产业的发展。

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因此，未来的3至5年间，将是中国晶硅产业快速发展的黄金时期。 1．硅片切割的常用方法： 硅片加工工艺流程一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装等阶段。 近年来光伏发电和半导体行业的迅速发展对硅片的加工提出了更高的要求。 一方面为了降低制造成本，硅片趋向大直径化。 另一方面要求硅片有极高的平面度精度和极小的表面粗糙度。

所有这些要求极大的提高了硅片的加工难度，由于硅材料具有脆、硬等特点，直径增大造成加工中的翘曲变形，加工精度不易保证。 厚度增大、芯片厚度减薄造成了材料磨削量大、效率下降等。 硅片切片作为硅片加工工艺流程的关键工序，其加工效率和加工质量直接关系到整个硅片生产的全局。 对于切片工艺技术的原则要求是：①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。 1、硅片清洗剂概述 硅片清洗剂广泛应用于光伏，电子等行业硅片清洗；由于硅片在运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。 清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷进”，会引起外延缺陷；再去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面钝化。

目前多采用传统的RCA清洗方法，不仅可以去除硅片表面的金属、有机物等，还可以去除小颗粒等污染物。 2、清洗工艺2.1RCA清洗法RCA清洗法又称工业标准湿法清洗工艺，是由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年代提出后，由此得名。

SPM具有很高的金属氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能将有机物氧化生成二氧化碳和水。 用SPM清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属，当沾污特别严重时，难以去除干净。 DHF（HF），可以去除硅片表面的自然氧化膜，同时抑制氧化膜的形成。 易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属，也可以去除自然氧化膜上的氢氧化物。

在自然那氧化膜被腐蚀掉时，硅片几乎不被腐蚀。 SC-1清洗液是能去除颗粒和有机物质的碱性溶液。

由于过氧化氢为强氧化剂，能氧化硅片表面和颗粒。 颗粒上的氧化层能提供消散机制，分裂并溶解颗粒，破坏颗粒和硅片表面之间的附着力，而脱离硅表面。 过氧化氢的氧化效应也在硅片表面形成一个保护层，阻止颗粒重新粘附在硅片表面。

随后将硅片放入到10%的HF溶液中浸泡2分钟，可以将硅片表面自然生成的氧化膜去除并抑制氧化膜再次形成，同时HF酸还可以将附着在氧化膜上的金属污染物溶解掉。 SC-2湿法清洗工艺用于去除硅片表面的金属。 用高氧化能力和低PH值的溶液，才能去除表面的金属粘污。 此时，金属被氧化成为离子并溶于酸液中，金属和有机物粘污中的电子被清洗液俘获并氧化。

因此电离的金属溶于溶液中，而有机杂质被分解。 继续用HF在室温下清洗硅片2分钟，用去离子水超声清洗数次去除残留的洗液改进的RCA清洗工艺溶液配比见表2.3。 RCA-1（H2O/NH4OH/H2O2）型洗液：硅片表面的自然氧化层（SiO2）和Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便分散于清洗液中，从而去除表面的颗粒。